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SH8KA4TB  与  AO4854  区别

型号 SH8KA4TB AO4854
唯样编号 A3-SH8KA4TB A36-AO4854
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 82
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.4mΩ@9A,10V 19mΩ@10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 23mΩ
Qgd(nC) - 3
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 SOP SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 9A 8A
Ciss(pF) - 740
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 8
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W 2W
Qrr(nC) - 18
VGS(th) - 2.4
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 640pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V -
Coss(pF) - 110
Qg*(nC) - 7.5
库存与单价
库存 100 2,527
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.496
100+ :  ¥1.144
750+ :  ¥0.9526
1,500+ :  ¥0.8646
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SH8KA4TB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A

暂无价格 100 当前型号
DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 6.9A

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
100: ¥1.21
1,250: ¥1.0494
2,500: ¥0.9889
4,942 对比
AO4924 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 12V 9A 2W 15.8mΩ@10V

¥2 

阶梯数 价格
1: ¥2
100: ¥1.5918
1,000: ¥1.1471
1,500: ¥0.9873
3,000: ¥0.78
3,000 对比
AO4854 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V

¥1.496 

阶梯数 价格
40: ¥1.496
100: ¥1.144
750: ¥0.9526
1,500: ¥0.8646
2,527 对比
DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 6.8A

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
1,250: ¥1.166
1,634 对比
AO4822A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥1.727 

阶梯数 价格
30: ¥1.727
100: ¥1.375
750: ¥1.232
1,500: ¥1.166
1,540 对比

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