SH8K32TB1 与 SI4946BEY-T1-GE3 区别
| 型号 | SH8K32TB1 | SI4946BEY-T1-GE3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SH8K32TB1 | A36-SI4946BEY-T1-GE3 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 | Si4946BEY Series Dual N-Channel 60 V 41 mOhms Surface Mount Power Mosfet-SOIC-8 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ@4.5A,10V | 41mΩ | ||||
| 上升时间 | - | 12ns | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 3.7W | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 17nC | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 25ns | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 24S | ||||
| FET类型 | 2N-Channel | - | ||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SOIC-8 | ||||
| 连续漏极电流Id | 4.5A | 6.5A | ||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 系列 | - | SI4 | ||||
| 通道数量 | - | 2Channel | ||||
| 配置 | - | Dual | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 840pF @ 30V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V | ||||
| 栅极电荷Qg | 10nC@5V | - | ||||
| 下降时间 | - | 10ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 10ns | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 2,200 | 197 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SH8K32TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 65mΩ@4.5A,10V ±20V 2W 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 2,200 | 当前型号 | ||||||
|
DMN6066SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
66mΩ@4.5A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 4.4A |
￥1.903
|
545 | 对比 | ||||||
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DMN6066SSDQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
车规 |
￥2.277
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46 | 对比 | ||||||
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SI4946BEY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) SOIC-8 6.5A 3.7W 41mΩ 60V 1V |
￥4.609
|
197 | 对比 | ||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) SOIC-8 6.5A 3.7W 41mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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