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SH8K32TB1  与  DMN6066SSDQ-13  区别

型号 SH8K32TB1 DMN6066SSDQ-13
唯样编号 A3-SH8K32TB1 A-DMN6066SSDQ-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC -
连续漏极电流Id 4.5A -
工作温度 150℃(TJ) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@4.5A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 2W -
栅极电荷Qg 10nC@5V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 2N-Channel -
库存与单价
库存 2,200 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SH8K32TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A 2N-Channel 65mΩ@4.5A,10V ±20V 2W 8-SOIC 150℃(TJ) 60V

暂无价格 2,200 当前型号
DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

66mΩ@4.5A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 4.4A

¥1.947 

阶梯数 价格
30: ¥1.947
100: ¥1.507
1,250: ¥1.309
2,295 对比
DMN6066SSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

车规

¥4.697 

阶梯数 价格
20: ¥4.697
46 对比
DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

66mΩ@4.5A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 4.4A

暂无价格 0 对比
IRF7341 Infineon  数据手册 功率MOSFET

55V SO-8 65mΩ 2N-Channel 20V 3.8A

暂无价格 0 对比
DMN6066SSDQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

车规

暂无价格 0 对比

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