SH8K32GZETB 与 DMN6066SSD-13 区别
| 型号 | SH8K32GZETB | DMN6066SSD-13 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-SH8K32GZETB | A36-DMN6066SSD-13 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | DMN6066SSD Series 60 V 66 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 66mΩ@4.5A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) | 1.8W | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 65mOhms@4.5A,10V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 2.5V@1mA | - | ||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.5A(Ta) | 4.4A | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 502pF @ 30V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.3nC @ 10V | ||||||||
| 栅极电荷Qg | 10nC@5V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 15,030 | 3,045 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 15,030 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4828 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C |
￥2.288
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14,400 | 对比 | ||||||||||||
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DMN6066SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
66mΩ@4.5A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 4.4A |
￥1.914
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3,045 | 对比 | ||||||||||||
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AO4828 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AO4828 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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