SH8K32GZETB 与 SI9945BDY-T1-GE3 区别
| 型号 | SH8K32GZETB | SI9945BDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SH8K32GZETB | A3-SI9945BDY-T1-GE3 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 零件号别名 | - | SI9945BDY-GE3 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 58mΩ |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) | 3.1W |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 65mOhms@4.5A,10V | - |
| 栅极电压Vgs | 2.5V@1mA | - |
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SOIC-8 |
| 连续漏极电流Id | 4.5A(Ta) | 4.3A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 665pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 10V |
| 栅极电荷Qg | 10nC@5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 15,030 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 15,030 | 当前型号 | ||||
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AO4828 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||
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AO4828 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
￥3.631
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0 | 对比 | ||||
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SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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