首页 > 商品目录 > > > > SH8J65TB1代替型号比较

SH8J65TB1  与  AO4813  区别

型号 SH8J65TB1 AO4813
唯样编号 A3-SH8J65TB1 A36-AO4813
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 125
Td(off)(ns) - 26
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@7A,10V 25mΩ@-7.1A,-10V
漏源极电压Vds 30V -30V
Rds On(Max)@4.5V - 40mΩ
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) - 25
VGS(th) - -2.5
Qgd(nC) - 4.6
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
Td(on)(ns) - 10
封装/外壳 8-SOP SO-8
连续漏极电流Id 7A -7.1A
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃
Ciss(pF) - 1040
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 5V -
Trr(ns) - 11.5
Coss(pF) - 180
Qg*(nC) - 9.6
库存与单价
库存 200 661
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.474
100+ :  ¥1.133
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SH8J65TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

30V 7A 29mΩ@7A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP

暂无价格 200 当前型号
DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
1,250: ¥1.166
1,714 对比
AO4813 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±20V -7.1A 2W 25mΩ@-7.1A,-10V -55℃~150℃

¥1.474 

阶梯数 价格
40: ¥1.474
100: ¥1.133
661 对比
AO4813 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±20V -7.1A 2W 25mΩ@-7.1A,-10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V

暂无价格 0 对比
DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售