SH8J65TB1 与 DMP3028LSD-13 区别
| 型号 | SH8J65TB1 | DMP3028LSD-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SH8J65TB1 | A-DMP3028LSD-13 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2W | 1.7W |
| 上升时间 | - | 17.1ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Qg-栅极电荷 | - | 22nC |
| 栅极电压Vgs | - | 1V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 60.5ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 11S |
| 封装/外壳 | 8-SOP | SO |
| 连续漏极电流Id | 7A | 6A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | DMP3028 |
| 通道数量 | - | 2Channel |
| 配置 | - | Dual |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1241pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.9nC @ 10V |
| 下降时间 | - | 40.4ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 9.7ns |
| 导通电阻Rds(On) | 29mΩ@7A,10V | 25mΩ |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1200pF @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 18nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 200 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SH8J65TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 7A 29mΩ@7A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP |
暂无价格 | 200 | 当前型号 | ||||||
|
AO4813 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±20V -7.1A 2W 25mΩ@-7.1A,-10V -55°C~150°C |
￥2.34
|
140 | 对比 | ||||||
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DMP3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V |
￥2.82
|
21 | 对比 | ||||||
|
|
AO4813 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±20V -7.1A 2W 25mΩ@-7.1A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
DMP3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
DMP3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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