| 型号 | SH8J65TB1 | AO4813 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SH8J65TB1 | A-AO4813 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 125 |
| Td(off)(ns) | - | 26 |
| 功率耗散Pd | 2W | 2W |
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 40mΩ |
| Qrr(nC) | - | 25 |
| VGS(th) | - | -2.5 |
| Qgd(nC) | - | 4.6 |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| Td(on)(ns) | - | 10 |
| 封装/外壳 | 8-SOP | SO-8 |
| 连续漏极电流Id | 7A | -7.1A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| Ciss(pF) | - | 1040 |
| 导通电阻Rds(On) | 29mΩ@7A,10V | 25mΩ@-7.1A,-10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1200pF @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 18nC @ 5V | - |
| Trr(ns) | - | 11.5 |
| Coss(pF) | - | 180 |
| Qg*(nC) | - | 9.6 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 200 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SH8J65TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 7A 29mΩ@7A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP |
暂无价格 | 200 | 当前型号 | ||||||
|
AO4813 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±20V -7.1A 2W 25mΩ@-7.1A,-10V -55°C~150°C |
￥2.34
|
140 | 对比 | ||||||
|
DMP3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V |
￥2.82
|
21 | 对比 | ||||||
|
|
AO4813 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±20V -7.1A 2W 25mΩ@-7.1A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
DMP3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
DMP3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
