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SCT4026DRC15  与  SCT4026DEC11  区别

型号 SCT4026DRC15 SCT4026DEC11
唯样编号 A3-SCT4026DRC15 A33-SCT4026DEC11
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET SiC MOSFET
描述 750V, 26mΩ, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET 750V, 26mΩ, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-247-4L TO-247N
工作温度 -40°C~175°C -
连续漏极电流Id 56A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 34mΩ@ 29A,18V -
漏源极电压Vds 750V -
Pd-功率耗散(Max) 176W -
栅极电压Vgs +21V,-4V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 30 153
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
2+ :  ¥148.1344
5+ :  ¥96.6577
10+ :  ¥90.2279
30+ :  ¥85.935
50+ :  ¥85.0822
60+ :  ¥84.8618
100+ :  ¥84.4306
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT4026DRC15 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247-4L N-Channel 34mΩ@ 29A,18V 176W -40°C~175°C +21V,-4V 750V 56A

暂无价格 30 当前型号
SCT4026DRHRC15 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247-4L 车规

¥150.645 

阶梯数 价格
1: ¥150.645
5: ¥99.1683
10: ¥92.7385
30: ¥88.4456
50: ¥87.5928
60: ¥87.3724
100: ¥86.9507
200: ¥86.6249
450 对比
SCT4026DEC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247N

¥148.1344 

阶梯数 价格
2: ¥148.1344
5: ¥96.6577
10: ¥90.2279
30: ¥85.935
50: ¥85.0822
60: ¥84.8618
100: ¥84.4306
200: ¥84.1144
400 对比
SCT4026DRHRC15 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247-4L 车规

¥150.645 

阶梯数 价格
1: ¥150.645
5: ¥99.1683
10: ¥92.7385
30: ¥88.4456
50: ¥87.5928
60: ¥87.3724
100: ¥86.9507
200: ¥86.6249
395 对比
SCT4026DEC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247N

¥148.1344 

阶梯数 价格
2: ¥148.1344
5: ¥96.6577
10: ¥90.2279
30: ¥85.935
50: ¥85.0822
60: ¥84.8618
100: ¥84.4306
153 对比
SCT4026DEC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247N

暂无价格 30 对比

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