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SCT4026DRC15  与  SCT4026DEC11  区别

型号 SCT4026DRC15 SCT4026DEC11
唯样编号 A3-SCT4026DRC15 A3-SCT4026DEC11
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET SiC MOSFET
描述 750V, 26mΩ, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET 750V, 26mΩ, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-247-4L TO-247N
工作温度 -40℃~175℃ -
连续漏极电流Id 56A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 34mΩ@ 29A,18V -
漏源极电压Vds 750V -
Pd-功率耗散(Max) 176W -
栅极电压Vgs +21V,-4V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 30 30
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT4026DRC15 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 30 当前型号
SCT4026DRHRC15 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥132.7834 

阶梯数 价格
2: ¥132.7834
5: ¥87.4107
10: ¥81.7379
30: ¥77.9529
50: ¥77.2054
60: ¥77.0138
100: ¥76.6305
200: ¥76.3526
450 对比
SCT4026DRHRC15 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥132.7834 

阶梯数 价格
2: ¥132.7834
5: ¥87.4107
10: ¥81.7379
30: ¥77.9529
50: ¥77.2054
60: ¥77.0138
100: ¥76.6305
200: ¥76.3526
405 对比
SCT4026DEC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥130.5602 

阶梯数 价格
2: ¥130.5602
5: ¥85.1972
10: ¥79.5244
30: ¥75.7393
50: ¥74.9823
60: ¥74.8003
100: ¥74.417
200: ¥74.1391
400 对比
SCT4026DEC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥130.5602 

阶梯数 价格
2: ¥130.5602
5: ¥85.1972
10: ¥79.5244
30: ¥75.7393
50: ¥74.9823
60: ¥74.8003
100: ¥74.417
153 对比
SCT4026DEC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 30 对比

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