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SCT3017ALGC11  与  SCT3017ALHRC11  区别

型号 SCT3017ALGC11 SCT3017ALHRC11
唯样编号 A3-SCT3017ALGC11 A33-SCT3017ALHRC11
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET SiC MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-247-3
连续漏极电流Id - 118A(Tc)
工作温度 - 175℃(TJ)
漏源极电压Vds - 650V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 427W
Vgs(最大值) - +22V,-4V
栅极电荷Qg - 172nC@18V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 22.1mOhms@47A,18V
栅极电压Vgs - 5.6V@23.5mA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 309 28
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥739.493
10+ :  ¥711.1387
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

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暂无价格 309 当前型号
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

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暂无价格 677 对比
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

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¥739.493 

阶梯数 价格
1: ¥739.493
10: ¥711.1387
50: ¥701.6809
100: ¥696.9567
450 对比
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

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¥739.493 

阶梯数 价格
1: ¥739.493
10: ¥711.1387
28 对比
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

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暂无价格 0 对比

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