RXH125N03TB1 与 AO4566 区别
| 型号 | RXH125N03TB1 | AO4566 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RXH125N03TB1 | A-AO4566 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 31 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12mΩ@12.5A,10V | 11mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 17mΩ |
| Qgd(nC) | - | 1.7 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| Td(on)(ns) | - | 4 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 |
| 连续漏极电流Id | 12.5A(Ta) | 12A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - |
| Ciss(pF) | - | 542 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1000pF @ 10V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 9.7 |
| Td(off)(ns) | - | 18 |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 2.5W |
| Qrr(nC) | - | 11.5 |
| VGS(th) | - | 2.3 |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12.7nC @ 5V | - |
| Coss(pF) | - | 233 |
| Qg*(nC) | - | 4.3 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 100 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RXH125N03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | ||||
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AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.8235
|
0 | 对比 | ||||
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AO4566 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 12A 2.5W 11mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF7811AVPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 11.8A 14mΩ 3W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF8707GTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 11A 17.5mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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