RV2C010UNT2L 与 RW1C020UNT2R 区别
| 型号 | RV2C010UNT2L | RW1C020UNT2R |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RV2C010UNT2L | A-RW1C020UNT2R |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 400mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 470mΩ@500mA,4.5V | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 400mW(Ta) | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 180pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±8V | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 封装/外壳 | SOT-883 | 6-WEMT |
| 连续漏极电流Id | 1A(Ta) | - |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 1V @ 1mA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 105 毫欧 @ 2A,4.5V |
| Vgs(最大值) | - | ±10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.2V,4.5V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 1.5V,4.5V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 2A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 40pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 2nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 4,045 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RV2C010UNT2L | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 20V 1A(Ta) ±8V 400mW(Ta) 470mΩ@500mA,4.5V 150°C(TJ) SOT-883 |
暂无价格 | 4,045 | 当前型号 | ||||||
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RW1C020UNT2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 6-WEMT |
￥1.0143
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7,088 | 对比 | ||||||
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RW1C020UNT2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 6-WEMT |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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