RUF015N02TL 与 SI1308EDL-T1-GE3 区别
| 型号 | RUF015N02TL | SI1308EDL-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RUF015N02TL | A-SI1308EDL-T1-GE3 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | RUF015N02 Series N-Channel 20 V 180 mOhm MosFet Surface Mount - TUMT-3 | Single N-Channel 30 V 0.4 W 4.1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-323 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 400mW(Ta),500mW(Tc) |
| 功率 | 4/5W | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| 栅极电压Vgs | ±10V | ±12V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TUMT | SOT-323-3 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 1.5A | 1.5A |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 110pF @ 10V | 105pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.5nC @ 4.5V | 4.1nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | 2.5V,10V |
| 导通电阻Rds(On) | 180mΩ@1.5A,4.5V | 132mΩ |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 100 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RUF015N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 180mΩ@1.5A,4.5V 150°C(TJ) TUMT N-Channel 20V 1.5A |
暂无价格 | 100 | 当前型号 |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 400mW(Ta),500mW(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-323-3 N-Channel 1.5A 132mΩ |
暂无价格 | 1 | 对比 |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 400mW(Ta),500mW(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-323-3 N-Channel 1.5A 132mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 400mW(Ta),500mW(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-323-3 N-Channel 1.5A 132mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 400mW(Ta),500mW(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-323-3 N-Channel 1.5A 132mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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