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RTQ020N03TR  与  DMG6402LDM-7  区别

型号 RTQ020N03TR DMG6402LDM-7
唯样编号 A3-RTQ020N03TR A36-DMG6402LDM-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 125mΩ@2A,4.5V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 1.12W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 27mΩ@7A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 404 pF @ 15 V
栅极电压Vgs 12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.2 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-23-6,TSOT-23-6 SOT-26
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 2A(Ta) 5.3A(Ta)
驱动电压 - 4.5V,10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 135pF @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.3nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 200 5,728
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥0.8448
200+ :  ¥0.583
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta)

暂无价格 200 当前型号
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 33mΩ@6.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 N-Channel 30V 6.9A

¥0.6074 

阶梯数 价格
90: ¥0.6074
200: ¥0.4181
1,500: ¥0.3807
3,000: ¥0.3557
9,152 对比
AO6424 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 5A 1.25W 31mΩ@5A,10V -55℃~150℃

¥0.7208 

阶梯数 价格
70: ¥0.7208
200: ¥0.5876
1,500: ¥0.5346
3,000: ¥0.4992
5,994 对比
ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-6 -55℃~150℃(TJ) 30V 2.4A(Ta)

¥1.5488 

阶梯数 价格
40: ¥1.5488
100: ¥1.2408
750: ¥1.1
1,500: ¥1.0472
3,000: ¥0.9944
5,981 对比
DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.12W(Ta) ±20V SOT-26 -55℃~150℃(TJ) 30V 5.3A(Ta)

¥0.8448 

阶梯数 价格
60: ¥0.8448
200: ¥0.583
5,728 对比
ZXMN3A03E6TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-6 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.7A(Ta)

¥1.4784 

阶梯数 价格
40: ¥1.4784
100: ¥1.1792
750: ¥1.056
1,500: ¥0.9944
3,000: ¥0.9416
5,032 对比

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