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RT1A060APTR  与  AON4407  区别

型号 RT1A060APTR AON4407
唯样编号 A3-RT1A060APTR A-AON4407
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 200
Rds On(Max)@Id,Vgs 19mΩ@6A,4.5V 20mΩ@4.5V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@1.8V - 31mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 25mΩ
Qgd(nC) - 5.3
栅极电压Vgs -8V 8V
Td(on)(ns) - 240
封装/外壳 8-SMD DFN 3x2
连续漏极电流Id 6A(Ta) -9A
工作温度 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 1740
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7800pF @ 6V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 22 Ohms
Td(off)(ns) - 7000
漏源极电压Vds 12V -12V
Pd-功率耗散(Max) 600mW(Ta) 2.5W
Qrr(nC) - 17
VGS(th) - -0.85
FET类型 P-Channel P-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 334
Qg*(nC) - 19
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RT1A060APTR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

P-Channel 12V 6A(Ta) -8V 600mW(Ta) 19mΩ@6A,4.5V 150°C(TJ) 8-SMD

暂无价格 100 当前型号
AON4407 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x2 P-Channel -12V 8V -9A 2.5W 20mΩ@4.5V

暂无价格 0 对比

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