RT1A060APTR 与 AON4407 区别
| 型号 | RT1A060APTR | AON4407 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RT1A060APTR | A-AON4407 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 200 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19mΩ@6A,4.5V | 20mΩ@4.5V |
| ESD Diode | - | Yes |
| Rds On(Max)@1.8V | - | 31mΩ |
| Rds On(Max)@2.5V | - | 25mΩ |
| Qgd(nC) | - | 5.3 |
| 栅极电压Vgs | -8V | 8V |
| Td(on)(ns) | - | 240 |
| 封装/外壳 | 8-SMD | DFN 3x2 |
| 连续漏极电流Id | 6A(Ta) | -9A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - |
| Ciss(pF) | - | 1740 |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 1.5V,4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 7800pF @ 6V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 22 Ohms |
| Td(off)(ns) | - | 7000 |
| 漏源极电压Vds | 12V | -12V |
| Pd-功率耗散(Max) | 600mW(Ta) | 2.5W |
| Qrr(nC) | - | 17 |
| VGS(th) | - | -0.85 |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 80nC @ 4.5V | - |
| Coss(pF) | - | 334 |
| Qg*(nC) | - | 19 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 100 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RT1A060APTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 12V 6A(Ta) -8V 600mW(Ta) 19mΩ@6A,4.5V 150°C(TJ) 8-SMD |
暂无价格 | 100 | 当前型号 |
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AON4407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x2 P-Channel -12V 8V -9A 2.5W 20mΩ@4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |