RSJ400N10TL 与 IRFS59N10DTRLP 区别
| 型号 | RSJ400N10TL | IRFS59N10DTRLP |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RSJ400N10TL | A-IRFS59N10DTRLP |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 3.8 W 76 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 27mΩ@40A,10V | 25mΩ@35.4A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.35W(Ta),50W(Tc) | 3.8W(Ta),200W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | 59A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 114nC @ 10V |
| 栅极电荷Qg | 90nC@10V | - |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2450pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 114nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 250 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RSJ400N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 27mΩ@40A,10V 1.35W(Ta),50W(Tc) TO-263-3 150°C(TJ) 100V |
暂无价格 | 250 | 当前型号 | ||||||||||
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AOB2910L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 30A 50W 23.5mΩ@10V |
¥5.102
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800 | 对比 | ||||||||||
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RSJ400N10FRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263S-3 100V 40A 27mΩ 20V 50W -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 150 | 对比 | ||||||||||
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IRFS59N10DTRLP | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 25mΩ@35.4A,10V N-Channel 100V 59A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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RSJ400N10FRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263S-3 100V 40A 27mΩ 20V 50W -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BUK7628-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 166W 175°C 3V 100V 47A |
暂无价格 | 0 | 对比 |