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RSJ400N06FRATL  与  IRFZ44VZSPBF  区别

型号 RSJ400N06FRATL IRFZ44VZSPBF
唯样编号 A3-RSJ400N06FRATL A-IRFZ44VZSPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VZSPBF, 57 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ 12mΩ
上升时间 60ns -
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 52nC -
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs 1V -
封装/外壳 D2PAK-3 -
连续漏极电流Id 40A,40A 57A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
配置 Single -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
下降时间 140ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1690pF @ 25V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 35 ns
漏源极电压Vds 60V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 50W 92W
晶体管配置 -
典型关闭延迟时间 90ns -
通道数量 1Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 20ns 14 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 65nC @ 10V
库存与单价
库存 125 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ400N06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规

暂无价格 125 当前型号
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

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PSMN015-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 86W 175°C 3V 60V 50A

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-55°C~175°C(TJ) 57A 12mΩ 92W

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±20V 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15.8mΩ@25A,10V N-Channel 60V 43A D2PAK

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SOT404 N-Channel 86W 175°C 3V 60V 50A

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