RSH070P05TB1 与 SI4401DDY-T1-GE3 区别
| 型号 | RSH070P05TB1 | SI4401DDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RSH070P05TB1 | A-SI4401DDY-T1-GE3 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 15mΩ |
| 上升时间 | - | 11ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 64nC |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 4100pF @ 10V | - |
| 栅极电压Vgs | - | 1.2V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 37S |
| 封装/外壳 | 8-SOP | SOIC-8 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 16.1A |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 27 毫欧 @ 7A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 9ns |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | - | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 6.3W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 45ns |
| FET类型 | P 通道 | - |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - |
| 系列 | - | SI4 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3007pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 95nC @ 10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 7A(Ta) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 13ns |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 47.6nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 100 | 24 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | ||||
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RSS070P05HZGTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOP-8 P-Channel 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C ±20V 45V 7A 车规 |
暂无价格 | 10 | 对比 | ||||
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RSS070P05HZGTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOP-8 P-Channel 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C ±20V 45V 7A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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RSS070P05HZGTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOP-8 P-Channel 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C ±20V 45V 7A 车规 |
￥3.3002
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0 | 对比 | ||||
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 16.1A 6.3W 15mΩ 40V 1.2V |
暂无价格 | 75,000 | 对比 | ||||
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 16.1A 6.3W 15mΩ 40V 1.2V |
暂无价格 | 24 | 对比 |
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