RS6R060BHTB1 与 SIR632DP-T1-RE3 区别
| 型号 | RS6R060BHTB1 | SIR632DP-T1-RE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-RS6R060BHTB1 | A36-SIR632DP-T1-RE3 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | Nch 150V 60A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | PowerPAK® SO-8 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 60A | 29A(Tc) | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21.8mΩ@60A,10V | 34.5 mOhms @ 10A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | 69.5W(Tc) | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 90 | 2,900 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 90 | 当前型号 | ||||||||||
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FDS86242 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
暂无价格 | 67,479 | 对比 | ||||||||||
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SIR632DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
29A(Tc) N-Channel 34.5 mOhms @ 10A,10V 69.5W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 150V |
￥6.688
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2,900 | 对比 | ||||||||||
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FDS2572 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
4.9A(Tc) ±20V 2.5W(Ta) 47m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.9A 8-SOIC |
￥3.949
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1,054 | 对比 | |||||||||||
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SIR5710DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 40 | 对比 | ||||||||||
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SI4848BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SOIC |
暂无价格 | 20 | 对比 |
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