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RS6R060BHTB1  与  SIR5710DP-T1-RE3  区别

型号 RS6R060BHTB1 SIR5710DP-T1-RE3
唯样编号 A3-RS6R060BHTB1 A-SIR5710DP-T1-RE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 150V 60A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) PowerPAK® SO-8
连续漏极电流Id 60A -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.8mΩ@60A,10V -
漏源极电压Vds 150V -
Pd-功率耗散(Max) 104W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 90 40
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

暂无价格 90 当前型号
FDS86242 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC

暂无价格 67,479 对比
FDS86242 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC

¥3.036 

阶梯数 价格
20: ¥3.036
100: ¥2.519
380 对比
SIR5710DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK® SO-8

暂无价格 40 对比
IRF7451TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 90mΩ@2.2A,10V N-Channel 150V 3.6A 8-SO

暂无价格 0 对比
SI4848ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 5.5A(Tc) ±20V 5W 84mΩ@3.9A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

暂无价格 0 对比

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