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RS6P100BHTB1  与  FDS3672  区别

型号 RS6P100BHTB1 FDS3672
唯样编号 A3-RS6P100BHTB1 A36-FDS3672
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET N-Channel 100 V 22 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.9mΩ@90A,10V 23mΩ@7.5A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 104W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-SOIC
连续漏极电流Id 100A 7.5A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2015pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 37nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
库存与单价
库存 50 2,428
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥5.445
100+ :  ¥4.532
1,250+ :  ¥4.125
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C

暂无价格 50 当前型号
BSC035N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC035N10NS5ATMA1_8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A

暂无价格 5,000 对比
SI7456DDP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5W(Ta),35.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 27.8A 23mΩ 2.8V

¥6.0192 

阶梯数 价格
9: ¥6.0192
100: ¥5.016
750: ¥4.6398
1,500: ¥4.4308
3,000: ¥4.2532
23,887 对比
SI4058DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V

¥2.673 

阶梯数 价格
20: ¥2.673
100: ¥2.046
1,250: ¥1.793
2,500: ¥1.705
6,727 对比
FDS3672 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC

¥5.445 

阶梯数 价格
10: ¥5.445
100: ¥4.532
1,250: ¥4.125
2,428 对比
SI4056ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.9A(Ta),8.3A(Tc) N-Channel 29.2 mOhms @ 5.9A,10V 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V

¥2.937 

阶梯数 价格
20: ¥2.937
100: ¥2.255
549 对比

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