RS6P100BHTB1 与 SI4190ADY-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6P100BHTB1 | SI4190ADY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RS6P100BHTB1 | A-SI4190ADY-T1-GE3 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 3.9 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.9mΩ@90A,10V | 8.8mΩ |
| 零件号别名 | - | SI4190ADY-GE3 |
| 漏源极电压Vds | 100V | 2.8V |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | 3W(Ta),6W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | SOIC-8 |
| 连续漏极电流Id | 100A | 18.4A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | SI |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.8V @ 250µA |
| 长度 | - | 4.9 mm |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1970pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 67nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 高度 | - | 1.75 mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 50 | 50 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 50 | 当前型号 |
|
BSC035N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerTDFN N-Channel 156W 3.5mΩ@50A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SiR106ADP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
PowerPAK® SO-8 Single -55°C~150°C 65.8A 8mΩ@15A,10V 100V 83.3W ±20V N-Channel |
暂无价格 | 100 | 对比 |
|
SIR170DP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
23.2A (Ta),95A (Tc) N-Channel 4.8 mOhms @ 20A,10V 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 55 | 对比 |
|
SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 18.4A 8.8mΩ 2.8V |
暂无价格 | 50 | 对比 |
|
SI7454FDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C 23.5A 29.5mΩ@10A,10V 100V 39W ±20V N-Channel SOT669 |
暂无价格 | 30 | 对比 |
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