RS6P060BHTB1 与 BSC098N10NS5 区别
| 型号 | RS6P060BHTB1 | BSC098N10NS5 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RS6P060BHTB1 | A-BSC098N10NS5 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET | 系列:OptiMOS™ |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.6mΩ@60A,10V | 9.8mΩ@30A,10V |
| 上升时间 | - | 5ns |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 73W | 69W |
| Qg-栅极电荷 | - | 22nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 28S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 17ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | PG-TDSON-8-7 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 60A | 60A |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | OptiMOS™ |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 下降时间 | - | 4ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 10ns |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 100 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | ||||||||||
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BSC098N10NS5 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 60A 9.8mΩ@30A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-7 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥2.882
|
6,464 | 对比 | ||||||||||
|
FDS3672 | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC |
￥5.357
|
1,897 | 对比 | ||||||||||
|
SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 18.4A 8.8mΩ 2.8V |
暂无价格 | 50 | 对比 | ||||||||||
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SI7454FDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C 23.5A 29.5mΩ@10A,10V 100V 39W ±20V N-Channel SOT669 |
暂无价格 | 30 | 对比 |
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