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RS6P060BHTB1  与  BSC098N10NS5  区别

型号 RS6P060BHTB1 BSC098N10NS5
唯样编号 A3-RS6P060BHTB1 A-BSC098N10NS5
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.6mΩ@60A,10V 9.8mΩ@30A,10V
上升时间 - 5ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 73W 69W
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 28S
典型关闭延迟时间 - 17ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) PG-TDSON-8-7
工作温度 -55°C~150℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 60A 60A
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS™
长度 - 5.9mm
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 100 5,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 当前型号
BSC098N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC098N10NS5ATMA1_5.9mm PG-TDSON-8-7

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