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RS6L120BGTB1  与  BSC028N06NSSC  区别

型号 RS6L120BGTB1 BSC028N06NSSC
唯样编号 A3-RS6L120BGTB1 A-BSC028N06NSSC
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) -
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 120A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.7mΩ@90A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 104W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 当前型号
IRF7855 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
BSC028N06NSSC Infineon 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
NTMFS5C628NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

QFN-5

暂无价格 3,000 对比
NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

¥3.025 

阶梯数 价格
20: ¥3.025
100: ¥2.321
750: ¥2.013
1,500: ¥1.903
1,850 对比
NVMFS5C682NLAFT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

¥3.839 

阶梯数 价格
20: ¥3.839
100: ¥2.959
750: ¥2.574
1,440 对比

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