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RS6L090BGTB1  与  SI7460DP-T1-E3  区别

型号 RS6L090BGTB1 SI7460DP-T1-E3
唯样编号 A3-RS6L090BGTB1 A-SI7460DP-T1-E3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET Single N-Channel 60 V 0.0096 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@90A,10V 9.6mΩ
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 73W 1.9W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SOIC-8
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 90A 18A
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 当前型号
IRF7855 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

¥3.025 

阶梯数 价格
20: ¥3.025
100: ¥2.321
750: ¥2.013
1,500: ¥1.903
1,784 对比
SIR186LDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK®SO-8Single

暂无价格 10 对比
IRF7855TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
NTMFS5H663NLT1G ON Semiconductor 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

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