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RS6G120BGTB1  与  SIR422DP-T1-GE3  区别

型号 RS6G120BGTB1 SIR422DP-T1-GE3
唯样编号 A3-RS6G120BGTB1 A3-SIR422DP-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.34mΩ@90A,10V 6.6mΩ@20A,10V
零件号别名 - SIR422DP-GE3
上升时间 - 84ns
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 104W 34.7W
Qg-栅极电荷 - 48nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 28ns
正向跨导 - 最小值 - 70S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SOIC-8
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 20.5A
系列 - SIR
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1785pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 11ns
典型接通延迟时间 - 19ns
库存与单价
库存 100 9,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

暂无价格 100 当前型号
NTMFS5C430NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

1.4mΩ@50A,10V ±20V DFN5(5x6) -55°C~175°C 200A 40V 110W N-Channel

暂无价格 200,000 对比
SIR422DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel

暂无价格 9,000 对比
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 30A 10.5mΩ@15A,10V SOT1205

暂无价格 52 对比
SIJA72ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

27.9A(Ta),96A(Tc) N-Channel 3.42 mOhms @ 10A,10V 4.8W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V

暂无价格 40 对比
SIR422DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel

暂无价格 40 对比

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