RS6G100BGTB1 与 SI4124DY-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6G100BGTB1 | SI4124DY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RS6G100BGTB1 | A3-SI4124DY-T1-GE3 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET |
| 描述 | Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | SO-8 |
| 功率耗散Pd | 59W | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 连续漏极电流Id | 100A | - |
| 漏源极电压Vds | 40V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 3.4mΩ@90A,10V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 160 | 2,500 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
暂无价格 | 160 | 当前型号 | ||||
|
SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||
|
SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
￥3.3281
|
82 | 对比 | ||||
|
NVMFS5C468NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
NTMFS5C450NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
