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RS6G100BGTB1  与  NTMFS5C450NT1G  区别

型号 RS6G100BGTB1 NTMFS5C450NT1G
唯样编号 A3-RS6G100BGTB1 A-NTMFS5C450NT1G
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
功率耗散Pd 59W -
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 100A -
漏源极电压Vds 40V -
导通电阻Rds(On) 3.4mΩ@90A,10V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 160 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A

暂无价格 160 当前型号
SI4124DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 MOSFET

SO-8

暂无价格 2,500 对比
SIR422DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel

¥3.3281 

阶梯数 价格
20: ¥3.3281
82 对比
NTMFS5C450NT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

暂无价格 0 对比
SIR422DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel

暂无价格 0 对比
NVMFS5C468NT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规

暂无价格 0 对比

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