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RS6G100BGTB1  与  IRF7842  区别

型号 RS6G100BGTB1 IRF7842
唯样编号 A3-RS6G100BGTB1 A-IRF7842
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@90A,10V 5.9mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 40V 40V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 59W -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 10.0nC
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO-8
Mounting - SMD
工作温度 -55°C~150℃ -
连续漏极电流Id 100A 14A
QG - 33.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.54
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 当前型号
IRF7842 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7469 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
SI4122DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥9.284 

阶梯数 价格
6: ¥9.284
100: ¥8.008
1,250: ¥7.623
2,500: ¥7.26
19,917 对比
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.15mm SOIC-8

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥3.036
750: ¥2.805
1,500: ¥2.673
3,000: ¥2.552
18,465 对比
IRF7842TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.532 

阶梯数 价格
20: ¥4.532
100: ¥3.795
1,000: ¥3.509
2,000: ¥3.344
4,000: ¥3.179
5,908 对比

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