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RS1G201ATTB1  与  FDS4675  区别

型号 RS1G201ATTB1 FDS4675
唯样编号 A3-RS1G201ATTB1 A32-FDS4675
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP P-Channel 40 V 13 mOhm PowerTrench Mosfet SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 3W(Ta),40W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13m Ohms@11A,10V
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 2.4W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6890pF @ 20V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 8-HSOP 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 11A
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4350pF @ 20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.2 毫欧 @ 20A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 20A(Ta),78A(Tc) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 40V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
库存与单价
库存 30 10
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥10.0947
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1G201ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP

暂无价格 30 当前型号
FDS4675 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

11A(Ta) ±20V 2.4W(Ta) 13m Ohms@11A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 11A 8-SOIC

¥10.0947 

阶梯数 价格
1: ¥10.0947
10 对比
IRF7240TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) 15mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 10.5A 40V 8-SO

暂无价格 0 对比
NVMFWS014P04M8LT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规

暂无价格 0 对比
NVMFWS2D3P04M8LT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规

暂无价格 0 对比
IRF7241TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 41mΩ@6.2A,10V P-Channel 40V 6.2A 8-SO

暂无价格 0 对比

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