RS1E280GNTB 与 SIRA06DP-T1-GE3 区别
| 型号 | RS1E280GNTB | SIRA06DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RS1E280GNTB | A3t-SIRA06DP-T1-GE3 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 3W(Ta),31W(Tc) | 5W(Ta),62.5W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Vgs(th) | - | 2.2V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | PowerPAK® SO-8 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 28A(Ta) | 40A(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2300pF @ 15V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 2.6mΩ@28A,10V | 2.5 mOhms @ 15A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 150 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS1E280GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),31W(Tc) 2.6mΩ@28A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 28A(Ta) |
暂无价格 | 150 | 当前型号 |
|
BSZ019N03LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TSDSON-8-FL N-Channel 69W 1.9mΩ@20A,10V -55°C~150°C ±20V 30V 149A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSC0901NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 100A 1.6mΩ 20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SIRA06DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 2.5 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
