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RS1E170GNTB  与  IRFHM8330TRPBF  区别

型号 RS1E170GNTB IRFHM8330TRPBF
唯样编号 A3-RS1E170GNTB A-IRFHM8330TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 6.6 mO 9.3 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.7mΩ 6.6mΩ@20A,10V
上升时间 4.8ns -
Qg-栅极电荷 12nC -
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
正向跨导 - 最小值 13S -
封装/外壳 HSOP-8 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
连续漏极电流Id 17A 16A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 3.7ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1450pF @ 25V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W 2.7W(Ta),33W(Tc)
典型关闭延迟时间 27ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
典型接通延迟时间 10ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
库存与单价
库存 2,480 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E170GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

17A 3W 6.7mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 2,480 当前型号
IRFHM8330TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.7W(Ta),33W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 6.6mΩ@20A,10V N-Channel 30V 16A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比

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