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RS1E150GNTB  与  AON6520  区别

型号 RS1E150GNTB AON6520
唯样编号 A3-RS1E150GNTB A-AON6520
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ@15A,10V 8.5 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),22.9W(Tc) 1.9W(Ta),31W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-DFN(5x6)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 15A(Ta) 11A(Ta),50A(Tc)
栅极电荷Qg - 24nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 590pF @ 15V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,445 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),22.9W(Tc) 8.8mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 15A(Ta)

暂无价格 2,445 当前型号
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暂无价格 0 对比
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AON6520 AOS  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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