RRH100P03GZETB 与 DMG4435SSS-13 区别
| 型号 | RRH100P03GZETB | DMG4435SSS-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RRH100P03GZETB | A3-DMG4435SSS-13 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12.6mΩ@10A,10V | 16mΩ@11A,20V |
| 上升时间 | - | 12.7ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 650mW(Ta) | 2.5W |
| Qg-栅极电荷 | - | 35.4nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±25V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 44.9ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 22S |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 |
| 连续漏极电流Id | 10A(Ta) | 7.3A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 系列 | - | DMG4435 |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1614pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35.4nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | 5V,20V |
| 下降时间 | - | 22.8ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 8.6ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3600pF @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 68nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 20 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RRH100P03GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 20 | 当前型号 | ||||
|
TPC8125,LQ(S | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1W(Ta) 8-SOP 150°C(TJ) 30 V 10A(Ta) |
￥5.0787
|
39 | 对比 | ||||
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IRF9328TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@12A,10V P-Channel 30V 12A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
AOSP21307 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -14A 3.1W 11.5mΩ@10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRF7424PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
13.5mΩ@11A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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