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RQ6E035ATTCR  与  DMP3050LVT-7  区别

型号 RQ6E035ATTCR DMP3050LVT-7
唯样编号 A3-RQ6E035ATTCR A36-DMP3050LVT-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMP3050LVT: 30 V 50 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1.25W(Ta) 1.8W(Ta)
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-6 TSOT-26
连续漏极电流Id 3.5A(Ta) 4.5A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 620pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 475pF @ 15V -
导通电阻Rds(On) 50mΩ@3.5A,10V 50mΩ@4.5A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V -
库存与单价
库存 230 1,235
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.536
100+ :  ¥1.176
750+ :  ¥0.9804
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6E035ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 3.5A(Ta) ±20V 1.25W(Ta) 50mΩ@3.5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6

暂无价格 230 当前型号
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A

暂无价格 3,000 对比
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A

¥1.536 

阶梯数 价格
40: ¥1.536
100: ¥1.176
750: ¥0.9804
1,235 对比
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A

¥0.8726 

阶梯数 价格
60: ¥0.8726
718 对比
RSQ035P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A

暂无价格 0 对比

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