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RQ6C050UNTR  与  DMN2028UVT-13  区别

型号 RQ6C050UNTR DMN2028UVT-13
唯样编号 A3-RQ6C050UNTR A-DMN2028UVT-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@5A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 1.2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 24mΩ@6.2A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 856 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±10V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 8.3 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-23-6 TSOT-23-6
连续漏极电流Id 5A(Ta) 6.2A(Ta)
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 2.5V,4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 200 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6C050UNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6

暂无价格 200 当前型号
DMN2028UVT-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TSOT-23-6

暂无价格 0 对比

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