RQ5E035BNTCL 与 DMN3070SSN-7 区别
| 型号 | RQ5E035BNTCL | DMN3070SSN-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RQ5E035BNTCL | A3-DMN3070SSN-7 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 1W | 780mW(Ta) |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SC-96 | SC-59 |
| 连续漏极电流Id | 3.5A | 4.2A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 697pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 13.2nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 250pF @ 15V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 37mΩ@3.5A,10V | 40mΩ@4.2A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RQ5E035BNTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 3.5A ±20V 1W 37mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C SC-96 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A |
暂无价格 | 2 | 对比 |
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DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A |
暂无价格 | 0 | 对比 |