RQ5E030AJTCL 与 RTR025N03TL 区别
| 型号 | RQ5E030AJTCL | RTR025N03TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RQ5E030AJTCL | A-RTR025N03TL |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.6 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 75mΩ@3A,4.5V | 92mΩ@2.5A,4.5V |
| 上升时间 | - | 15 ns |
| 栅极电压Vgs | ±12V | 12V |
| 封装/外壳 | SC-96 | TSMT |
| 连续漏极电流Id | 3A(Ta) | 2.5A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 2.9 mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V | 2.5V,4.5V |
| 下降时间 | - | 10 ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 240pF @ 15V | - |
| 高度 | - | 0.85 mm |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Tc) | 1W(Ta) |
| 典型关闭延迟时间 | - | 25 ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | RTR |
| 通道数量 | - | 1 Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 220pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4.6nC @ 4.5V |
| 典型接通延迟时间 | - | 9 ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.1nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 170 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RQ5E030AJTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 3A(Ta) ±12V 1W(Tc) 75mΩ@3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-96 |
暂无价格 | 170 | 当前型号 |
|
RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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