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RQ3E180AJTB  与  RQ3E180AJTB1  区别

型号 RQ3E180AJTB RQ3E180AJTB1
唯样编号 A3-RQ3E180AJTB A33-RQ3E180AJTB1-0
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@18A,4.5V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),30W(Tc) -
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-PowerVDFN -
连续漏极电流Id 18A(Ta),30A(Tc) -
工作温度 -55℃~150℃ -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 11mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4290pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 100 340
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥5.0021
50+ :  ¥3.2868
100+ :  ¥2.7215
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1: ¥2.5128
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1,000: ¥1.4412
2,500: ¥1.2405
5,000: ¥0.98
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阶梯数 价格
30: ¥1.892
100: ¥1.452
1,000: ¥1.21
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¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
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¥5.0021 

阶梯数 价格
30: ¥5.0021
50: ¥3.2868
100: ¥2.7215
340 对比
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