RQ3E150GNTB 与 NTTFS4C08NTAG 区别
| 型号 | RQ3E150GNTB | NTTFS4C08NTAG |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RQ3E150GNTB | A3-NTTFS4C08NTAG |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2W | - |
| 上升时间 | 5.8ns | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Qg-栅极电荷 | 15.3nC | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 34.4ns | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 13.5S | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | HSMT-8 | 8-WDFN(3.3x3.3) |
| 连续漏极电流Id | 15A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 下降时间 | 7.8ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 11.6ns | - |
| 导通电阻Rds(On) | 6.1mΩ@15A,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 290 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RQ3E150GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
15A 2W 6.1mΩ@15A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 290 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON6368 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 52A 27W 6.1mΩ@10V |
￥2.5385
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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AON6596 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 35A 41W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥2.5128
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2,859 | 对比 | ||||||||||||
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AON7466 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±25V 30A 25W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.416
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460 | 对比 | ||||||||||||
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AON7466 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±25V 30A 25W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NTTFS4C08NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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