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RQ3E150BNTB  与  AON6524  区别

型号 RQ3E150BNTB AON6524
唯样编号 A3-RQ3E150BNTB A-AON6524
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.3mΩ@15A,10V 5 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 5.7W(Ta),35.5W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-DFN(5x6)
连续漏极电流Id 15A(Ta) 27A(Ta),68A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
栅极电荷Qg - 23nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
库存与单价
库存 200 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 200 当前型号
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DFN3x3EP

¥1.298 

阶梯数 价格
40: ¥1.298
100: ¥0.9966
1,250: ¥0.8305
2,500: ¥0.7557
5,000: ¥0.6941
6,819 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 对比
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8-DFN(5x6)

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