RQ3E130BNTB 与 AON7466 区别
| 型号 | RQ3E130BNTB | AON7466 | ||||
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| 唯样编号 | A3-RQ3E130BNTB | A36-AON7466 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 2W(Ta) | 25W | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±25V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | DFN 3x3 EP | ||||
| 连续漏极电流Id | 13A(Ta) | 30A | ||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1900pF @ 15V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 6mΩ@13A,10V | 7.5mΩ@20A,10V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 36nC @ 10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 15 | 460 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ3E130BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 13A(Ta) ±20V 2W(Ta) 6mΩ@13A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 15 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON6368 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 52A 27W 6.1mΩ@10V |
￥2.5385
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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AON7466 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±25V 30A 25W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.416
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460 | 对比 | ||||||||||||
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AON7466 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±25V 30A 25W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRFHM8330TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.7W(Ta),33W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 6.6mΩ@20A,10V N-Channel 30V 16A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NTTFS4C08NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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