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RQ3E130BNTB  与  IRFH3702TRPBF  区别

型号 RQ3E130BNTB IRFH3702TRPBF
唯样编号 A3-RQ3E130BNTB A-IRFH3702TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH3702TRPBF, 42 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@13A,10V 11.8mΩ
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1.35V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 8-PowerVDFN -
连续漏极电流Id 13A(Ta) 42A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 15V 1510pF @ 15V
高度 - 0.95mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 11 ns
漏源极电压Vds 30V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.8W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 9.6 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V 14nC @ 4.5V
正向跨导 - 37S
库存与单价
库存 226 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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