首页 > 商品目录 > > > > RQ3E130BNTB代替型号比较

RQ3E130BNTB  与  DMTH3004LFGQ-7  区别

型号 RQ3E130BNTB DMTH3004LFGQ-7
唯样编号 A3-RQ3E130BNTB A-DMTH3004LFGQ-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@13A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.5W(Ta),50W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 5.5mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2370 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 44 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 13A(Ta) 15A(Ta),75A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
库存与单价
库存 15 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E130BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 13A(Ta) ±20V 2W(Ta) 6mΩ@13A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

暂无价格 15 当前型号
AON6368 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 52A 27W 6.1mΩ@10V

¥2.5385 

阶梯数 价格
1: ¥2.5385
100: ¥2.0204
1,000: ¥1.4559
1,500: ¥1.2532
3,000: ¥0.99
3,000 对比
AON7466 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±25V 30A 25W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
NVTFS4C10NTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3) 车规

暂无价格 0 对比
IRFH3702TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 42A 11.8mΩ 2.8W

暂无价格 0 对比
AON6594 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 35A 39W 7mΩ@10V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售