RQ3E120BNTB 与 DMG7430LFG-7 区别
| 型号 | RQ3E120BNTB | DMG7430LFG-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RQ3E120BNTB | A3-DMG7430LFG-7 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2W | 2.2W |
| 上升时间 | 30ns | 21.2ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Qg-栅极电荷 | 29nC | 26.7nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 2.5V |
| 典型关闭延迟时间 | 46ns | 22.3ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | PowerDI |
| 连续漏极电流Id | 12A | 10.5A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | DMG7430 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | SingleTripleSourceQuadDrain |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1281pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 26.7nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | 12ns | 5.1ns |
| 典型接通延迟时间 | 9ns | 5.2ns |
| 导通电阻Rds(On) | 9.3mΩ@12A,10V | 11mΩ |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 300 | 4,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RQ3E120BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 9.3mΩ@12A,10V 30V ±20V 8-PowerVDFN N-Channel |
暂无价格 | 300 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON7752 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 16A 20W 8.2mΩ@10V |
￥1.2821
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4,722 | 对比 | ||||||||||||
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AON7506 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥1.1184
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4,490 | 对比 | ||||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
￥1.524
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1,478 | 对比 | ||||||||||||
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AON7506 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.6202
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1,081 | 对比 |
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