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RQ3E100BNTB  与  AON6416  区别

型号 RQ3E100BNTB AON6416
唯样编号 A3-RQ3E100BNTB A-AON6416
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.4mΩ@10A,10V 8 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.4W(Ta),31W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-DFN(5x6)
连续漏极电流Id 10A(Ta) 14A(Ta),22A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
栅极电荷Qg - 28nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
库存与单价
库存 280 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 2W(Ta) 10.4mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

暂无价格 280 当前型号
AON7752 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 16A 20W 8.2mΩ@10V

¥1.2821 

阶梯数 价格
1: ¥1.2821
100: ¥1.0204
1,000: ¥0.7353
2,500: ¥0.6329
5,000: ¥0.5
4,722 对比
AON7506 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.0791 

阶梯数 价格
50: ¥1.0791
100: ¥0.8294
1,068 对比
AON6414A AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 30A 31W 8mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.2051 

阶梯数 价格
1: ¥1.2051
100: ¥0.9592
1,000: ¥0.6912
1,500: ¥0.5949
3,000: ¥0.47
502 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
BSZ088N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ088N03MSGATMA1_30V 11A 8.8mΩ 20V 2.1W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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