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RQ3E080GNTB  与  AON7410  区别

型号 RQ3E080GNTB AON7410
唯样编号 A3-RQ3E080GNTB A-AON7410
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.7mΩ@8A,10V 20mΩ@8A,10V
上升时间 3.6ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 20W
Qg-栅极电荷 5.8nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 17.3ns -
正向跨导 - 最小值 7S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 8A 24A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 2.4ns -
典型接通延迟时间 6.9ns -
库存与单价
库存 200 10
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

暂无价格 200 当前型号
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

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80: ¥0.6279
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DFN3x3EP

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