首页 > 商品目录 > > > > RQ3E080BNTB代替型号比较

RQ3E080BNTB  与  AON7432  区别

型号 RQ3E080BNTB AON7432
唯样编号 A3-RQ3E080BNTB A-AON7432
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.2mΩ@8A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) - 2.5V,10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET 类型 - N 通道
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) - 15 毫欧 @ 10.5A,10V
Vgs(最大值) - ±12V
连续漏极电流Id 8A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss) - 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) - 10.5A(Ta),18A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
功率耗散(最大值) - 3.1W(Ta),20.8W(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 15V 813pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V 26nC @ 10V
库存与单价
库存 250 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E080BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 8A(Ta) ±20V 2W(Ta) 15.2mΩ@8A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

暂无价格 250 当前型号
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.254 

阶梯数 价格
40: ¥1.254
100: ¥0.968
1,250: ¥0.8063
2,500: ¥0.7337
3,725 对比
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
100: ¥0.8712
771 对比
IRFH3707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3x3)

暂无价格 0 对比
AON7432 AOS  数据手册 功率MOSFET

-55°C ~ 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售