RQ3C150BCTB 与 FDMC510P 区别
| 型号 | RQ3C150BCTB | FDMC510P |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RQ3C150BCTB | A3-FDMC510P |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT | MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.7mΩ@15A,4.5V | 8m Ohms@12A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 20W(Tc) | 2.3W(Ta),41W(Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 10V | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V | - |
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±8V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 8-MLP(3.3x3.3) |
| 连续漏极电流Id | 30A(Tc) | 12A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 7860pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 116nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V | 1.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 1mA | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 610 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RQ3C150BCTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 30A(Tc) ±8V 20W(Tc) 6.7mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 610 | 当前型号 |
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FDMC510P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
12A(Ta),18A(Tc) ±8V 2.3W(Ta),41W(Tc) 8m Ohms@12A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 20V 12A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FDMC510P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
12A(Ta),18A(Tc) ±8V 2.3W(Ta),41W(Tc) 8m Ohms@12A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 20V 12A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP26M7UFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 2.3W(Ta) 6.7mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 20V 18A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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